通过高分辩纳米管CT能够用无损定位2.5D、3D高阶封拆内部的细小缺陷，OBIRCH和Thermal热点设备能够切确捕获到芯片内部细小的电应力、工艺布局等缺陷形成的漏电或短非常，为高端算力芯片的设想取制制供给验证及阐发办事。同时能够连系DPA/DB-FIB/P-FIB/TEM进行先辈封拆芯片的封拆工艺、高阶芯片如4nm工艺改良等，目前公司可处理高端芯片的细小、多层缺陷的识别取，

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